长鑫存储申请半导体结构及其制造方法专利，提高半导体结构的良率为什么男人不愿意娶大龄剩女
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<h2 style="text-align: left; margin-bottom: 10px;">目录：</h2>
<h3 style="text-align: left; margin-bottom: 10px;"><a href="#sub_title_1" style="color: red;">1.半导体和芯片有什么区别</a></h3>
<h3 style="text-align: left; margin-bottom: 10px;"><a href="#sub_title_2" style="color: red;">2.半导体芯片股票龙头前十名排名</a></h3>
<h3 style="text-align: left; margin-bottom: 10px;"><a href="#sub_title_3" style="color: red;">3.半导体龙头股票有哪些</a></h3>
<h3 style="text-align: left; margin-bottom: 10px;"><a href="#sub_title_4" style="color: red;">4.半导体是什么</a></h3>
<h3 style="text-align: left; margin-bottom: 10px;"><a href="#sub_title_5" style="color: red;">5.半导体龙头一览表</a></h3>
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<h3 id="sub_title_1" style="text-align: left; margin-bottom: 10px;">1.半导体和芯片有什么区别</h3>
<p style="font-size: 18px; line-height: 40px; text-align: left; margin-bottom: 30px;">方钉导航</p>
<h3 id="sub_title_2" style="text-align: left; margin-bottom: 10px;">2.半导体芯片股票龙头前十名排名</h3>
<p style="font-size: 18px; line-height: 40px; text-align: left; margin-bottom: 30px;">金融界 2024 年 10 月 22 日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其制造方法”的专利，公开号 CN 118765110 A，申请日期为 2023 年 3 月。</p>
<h3 id="sub_title_3" style="text-align: left; margin-bottom: 10px;">3.半导体龙头股票有哪些</h3>
<p style="font-size: 18px; line-height: 40px; text-align: left; margin-bottom: 30px;">专利摘要显示，本公开实施例涉及半导体技术领域，提供一种半导体结构及其制造方法，制造方法包括：提供具有至少一个盲孔的基底；采用外延生长工艺至少在盲孔的底部形成底层硅；形成填充满剩余盲孔的初始硅材料层，初始硅材料层的熔点低于底层硅的熔点；采用激光对初始硅材料层进行处理，使初始硅材料层熔融；对进行激光处理之后的初始硅材料层进行冷却处理，使初始硅材料层重结晶，以形成硅材料层。</p>
<h3 id="sub_title_4" style="text-align: left; margin-bottom: 10px;">4.半导体是什么</h3>
<p style="font-size: 18px; line-height: 40px; text-align: left; margin-bottom: 30px;">本公开实施例至少有利于提高硅材料层的致密度和导电性能，以提高半导体结构的良率</p>
<h3 id="sub_title_5" style="text-align: left; margin-bottom: 10px;">5.半导体龙头一览表</h3>
<p style="font-size: 18px; line-height: 40px; text-align: left; margin-bottom: 30px;">方钉工社</p>
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