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日前，德国公示上海微电子的多项EUV光照射机关键技术专利。在半导体领域，一直有着国际上的大哥ASML主持着半导体光刻机的生产与发展。 
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这次上海微电子能在德国申请下此专利，引起了半导体领域的一片轰动毕竟上海微电子要是能拥有此EUV专利，那在后期对于我国的半导体产业发展无疑是一件好事上海微电子为了专利能够尽早通过公司派人亲自到德国进行此专利的申请和维护，看起来对EUV光刻机的未来是非常上心的。
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ASML在芯片制造上的统治地位一直受到世界各国的关注与追赶，尤其是中国但是中国在这一领域的进步还是引发了热议，不管是同行或是业界专家，大家都对这次上海微电子所申请的专利一致表示期待这也是在ASML技术严防死守的情况下，难得一见的突破之一。
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这激起了我国产业界和科研团队的积极性，大家纷纷为此打气加油，认为这是一个良好的开端，是希望的开始。 
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从德国回来的消息一传出来，立刻引起了大家的讨论这次与ASML争夺焦点之时，又被另一消息抢去了一部分关注度，那就是SMEE也已经拥有了一枚EUV太阳光刻机的研究专利与此同时，又传出另一消息消息，SMEE已为国内某家企业准备了光12英寸刻基板，这也无疑给国内企业注入了一剂强心剂。
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光刻机利器光刻机又称为光刻设备，是就是利用光，通过掩模对光敏材料进行图形投影照射，使得光敏材料表面发生化学反应，形成对应的图案，用于半导体类产品电路图案转印制程中的一个重要步骤光刻机根据使用到的光源不同可分为四类分别是i线，KrF，ArF和EUV。
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EUW光刻机属于最新一代光刻机，可以生产出10nm和更高级别的集成芯片EUV光刻技术可谓是个行业龙头，因为其技术复杂程度最高，难度也是最大的而且这种技术已经非常长时间都处于荷兰阿斯麦公司的手中ASML成立于1984年，仅成立不到一年的时间，就发布了其第一款型号为5A的光刻机产品，该款产品便是业内称之为i线光刻机。 
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此款产品对当时业内良好的刺激和推动作用，使得整个半导体生产制造行业均采用此款产品后来随着社会的发展，我国也向国外大量引进此设备，为我国当时时间的科研做出了极大的贡献1991年ASML推出型号为2500/300系列的新产品，其产品不仅在生产效率等性能上相较前面的5A有着更高程度提升，同时在技术性能水平上也实现了更高的成就。 
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其中对业界有着重大推动的新型Excimer KrF光刻机所占当时市场份额达到了50%以上，这款型号2500/300系列产品则成为其主打产品，也在市场上占据半壁江山，由此也成为行业内的温度表1997年ASML又推出最新型号为5000/600系列产品，使其市场份额直接升高至70%一线，并且在之后的市场竞争中依旧保持着优势。 
25年来，ASML历经了30多年的研发，在技术上是行业中的引领者ASML曾独家推出了第一款8300系列刀版KRF光刻系统，这一系统运用深紫外光进行曝光，在先进制程基板得到光刻使用，此后ASML还发布了9300刀版KRF系列，这款系统生产出来的芯片，制程可达到90nm。
2004年ASML推出了最新型号为TWINSCAN XT: 1250 D，就是XT代表着双重扫描此款型号EQV产品是当时业内首款可以进入到商用阶段产品，也是全球首款ArF DUV双重曝光光刻系统，这款系统用于主流SoC芯片的器件规模已经达到了65nm，嵌入式Flash器件则达到40nm。
2010年ASML又推出了XT: 14000，这款版本为ArF DUV 第四代双重曝光系统，其可以支持SOC型芯片80nm以下制程制造，其嵌入式Flash器件则可以支持28nm以下制程制造。 
2015年ASML还推出了NXE系列，就是所谓的极紫外光专区，其能够支持先进的制程技术，其EOS型芯片能够达到7nm以下制造，而嵌入Flash器件则可以达到16nm以下制造次年ASML再次升级了NXE系列型号，为NXE: 3400系列，在其先进程度上还更加提升了一些。
并且在其基础上还推出了NXT系列中的NXT: 2000I和NXT: 2050I系统，其中NXT: 2000I使得极紫外光有着更高稳定性，其支持高达5万小时运行，其NXT: 2050I系统则是为中国地区提供版本，但只支持高达30小时运行。
同时还有用于32nm及以上NMOS和CMOS逻辑型功率晶体管以及模拟型射频功率晶体管和非易失性存储器器件制造上海微电子专利申请已获受理虽然上海微电子此次前去申办专利申请的是EUV光刻机关键技术专利，但还未收到最终结果。
并且申请专利并不代表这家企业就能够量产此产品，因为从此次申请到日后投入实际生产，还有很长一段路要走。 
只有申请出来并且能够进行量产，这才是一项真正意义上的技术进步，所以说，现在还无法对上海微电子进行由于此项专利而作出的任何交易或评估，还需要经过长时间的一段周期去验证其质量和足够使用性所以这就出现了网友们在这条动态下各自猜测上海微电子接下来的动作和未来方向，然后针对所取得成果来进行一系列评估和判断，但是无论怎么评估都是今后发展方向的努力。
就连半导体范畴内的一些专家对于此次开发出EUV光刻机关键技术非常看好，并称国内可以实现这个目标并不遥远，而且现在这个阶段正是时不再来的机会，有空缺就能迎头超上去，并且还会更上一层楼但是这种猜测里看不到有数据支撑，所以这个猜测不能完全确定其准确性，没有经过长时间实践验证的数据，不敢说一定是正确的，所以我们不能将这种猜测当做事实来看待。
不过这些观点还是呼应了国内半导体产业正在飞速发展的现状，我们目前离国际先进水平还有很长一段路要走，不过中国正以其无比顽强的毅力朝着这个目标前进。 
我国国内产业链也在不断完善，并且各大相近领域为提高工作效率形成协同发展，有效节省资源，提高利用效率，对于我们日后的科研进展来说，将会起到事半功倍的效果，所以大家对于未来持乐观态度也是有一定道理支撑的中国后续发展方向
第一，中国如果要赶超国际先进水平，除了将自己的科研实力不断提高，生产制造能力也要跟上，如果我们光有先进设计理念，没有强大生产能力支撑，那我们也不会成为国际领先水平第二，我国政府也要加大投入扶持国内企业的发展，不管是资金方面支持还是政策方面扶持，如果没有足够资金支撑科研实验进展，就无法有效完成技术积累，从而形成完整产业链。 
国家要向企业传递一种声音，说科研有国家支持，有资金支撑，大家在这个道路上走下去也是没有问题，而且它也是一个长期利益收获过程，我们会随着它一点点成长进步，全方位提升自身实力，这是一个充满希望、有未来前景、科技含量高有益国家发展的道路，是国家鼓励我们走下去的道路，希望大家积极探索研究，将我们的科技发展之路走平稳走踏实，并且形成固定气候所得利益共享，让每个人都有机会参与到这个大潮中，共同收获成果。 
第三，我们专业人才需求还很大，我们要找到合适的人才加入队伍中，只要是为了我国科技发展所做努力，我们就应当给予其更多支持，并给予其公平对待，让每个人都在这里发挥所长，各尽所能，各取所需，共同收获成果。 
欧盟委员会主席冯德莱恩曾指出:“作为信号，我们将采取负责任的方法来满足自己的实力和能力”，但是这种说法并没有评估到所有人身上，它保留了一部分产业留给自己，同时也对其他人做了限制。 
那么我国如何应对这种局势?我们应当朝着我国未来发展的方向努力，而不是盲目跟风别人说什么，我们还是应该站脚踏实地发挥自己的优势，人尽其才才能有更好的效果。
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